IDT扩展RF电压可变衰减器范围至6GHz线性改善1000倍捷达配件
应达五金网 2022-10-24 18:16:16
集成设备圣何塞,加利福尼亚,美国技术公司(IDT)又增加了两个新成员,其不断增长的硅基RF电压可变衰减器(VVA)系列 - 它们提供的模拟控制需要精确衰减应用 - 扩大该公司的频率覆盖范围为1MHz至6GHz。
就像家庭中的其他成员,在F2255和F2258器件提供什么自称是业界领先的低插入损耗和高线性度。即将在紧凑的3mm x 3mm,16引脚TQFN封装,新器件可提供具有竞争力的解决方案,大约一半的插入损耗,IP3(三阶截取点)的线性性能1000X(30分贝),比竞争砷化镓更好的砷化镓(GaAs)装置中,来计算,并显示出两端的电压控制范围内的线性以dB衰减特性。它们的低插入损耗降低了射频链的路径损耗,而他们的高线性度提高了系统的数据传输速率。
这些新器件匹配流行脚印和适于基站(2G,3G和4G),微波的基础设施,公共安全,便携式无线通信/数据设备,测试/ ATE设备,军事系统,JTRS无线电和HF,VHF和UHF无线IPTV电。
“相比砷化镓的解决方案IDT的硅基RF产品提供卓越的性能,在这种情况下,高达30dB的线性改善,”克里斯·斯蒂芬斯,IDT的射频事业部总经理说。 “这些设备是在市场上的最低插入损耗VVAs,并且具有最线性衰减控制特性”。
记事本IDT声称,通过使用硅基射频半导体技术,其衰减器提供了一种有力的替代旧的自然奇石基于GaAs的技术。硅提供了更强大的静电放电(ESD)保护,更好的潮湿敏感度等级(MSL),提高了散热性能,更低的功耗和公认的可靠性,该公司补充道。
在F2258进行比较到管脚兼容的GaAs竞争者,该装置具有一个输入IP3高达65dBm与35dBm的,33分贝/ V与53分贝/ V,最小的回波损耗高达12.5分贝与7分贝的6000MHz的最大衰减斜率,并105℃与85℃的最高工作温度范围。在F2255支持的频率范围向下到1MHz并具有33分贝/ V的最大衰减斜率。
这两款器件具有双向RF端口钢板,支持3V或5V单正电源电压,并具有-40°C至105°C的工作温度范围。
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